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          電路芯片超純水設備

          電路芯片超純水設備

            近幾十年以來,混床離子交換技術一直作為超純水制備的標準工藝。

            近幾十年以來,混床離子交換技術一直作為超純水制備的標準工藝。由于其需要周期性的再生且再生過程中消耗大量的化學藥品(酸堿)和工業純水,并造成一定的環境問題,因此需要開發無酸堿超純水系統。

            正因為傳統的離子交換已經越來越無法滿足現代工業和環保的需求,于是將膜、樹脂和電化學原理相結合的EDI技術成為水處理技術的一場革命。其離子交換樹脂的的再生使用的是電能,而不再需要酸堿,因而更滿足于當今世界的環保要求。


            自從1986年EDI膜堆技術工業化以來,全世界已安裝了數千套EDI系統,尤其在制藥、半導體、電力和表面清洗等工業中得到了大力的發展,同時在廢水處理、飲料及微生物等領域也得到廣泛使用。

            EDI超純水設備是應用在反滲透系統之后,取代傳統的混床離子交換技術(MB-DI)生產穩定的超純水。

            EDI技術與混合離子交換技術相比有如下優點

           ?、佼a水水質高

           ?、诓僮骱唵?、安全。管理方便。

           ?、鄄粫蛟偕C

           ?、軣o需酸堿化學藥劑再生。

           ?、葸\行費用低

           ?、拚嫉孛娣e小

           ?、邿o污水排放

            EDI工作原理

            EDI模塊將離子交換樹脂充夾在陰/陽離子交換膜之間形成EDI單元。EDI工作原理如圖所示。 EDI模塊中將一定數量的EDI單元間用格板隔開,形成濃水室和淡水室。又在單元組兩端設置陰/陽電極。在直流電的推動下,通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室而在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統,成為濃水. EDI設備一般以二級反滲透(RO)純水作為EDI給水。RO純水電阻率一般是40-2μS/cm(25℃)。EDI純水電阻率可以高達18 MΩ.cm(25℃),但是根據去離子水用途和系統配置設置,EDI超純水適用于制備電阻率要求在1-18.2MΩ.cm(25℃)的純水。

            EDI技術被制藥工業、微電子工業、發電工業和實驗室所普遍接受。在表面清洗、表面涂裝、電解工業和化工工業高純水設備的應用中也日趨廣泛。 


          成 分
          范 圍
          總可交換陽離子(包括Co2
          < 25mg/L(以CaCo3計)
          PH
          5-9
          硬度(CaCo3計)
          < 0.1
          < 0.5
          < 0.75
          < 1.0
          回收率
          95%
          90%
          85%
          80%
          活性Sio2
          < 0.5mg/L
          總有機碳(TOC)
          < 0.5mg/L
          游離氧
          < 0.5mg/L
          參 數
          范 圍
          單個模塊流量
          7.2-15GPM(1.6-3.4m3/h)
          正?;厥章?/span>
          80-95%
          溫度
          40-100°F(5to38°C)
          進口壓力
          45-100psi(3.1-6.8Bar)
          輸入電壓
          600VDC(最大)
          電耗
          0.32-0.66KW.h/m3
          外形尺寸
          12"Wx24"Hx19"D
          300mmWx610mmHx(90mmD)

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