EDI超純水系統助力芯片工藝不斷突破

　　芯片生產離不開超純水，超純水生產離不開EDI超純水系統，EDI超純水系統助力芯片工藝不斷突破。從22nm工藝節點推出3D晶體管之后，芯片產業仿佛打通了任督二脈，Flash、封裝、甚至NAND，都開始走向3D，芯片3D時代悄然已至。

　　1、邁出第1步的3D晶體管

　　晶體管是早期實現3D化的，畢竟按照摩爾定律，晶體管的數量與芯片性能息息相關，在平面晶體管時代，22nm基本就是大家公認的極限了，為了突破這個工藝極限，FinFET晶體管誕生了。

　　之前人們都認為5nm將是FinFET的極限，但2020年臺積電打破了這個瓶頸，其在2020年第1季的法人說明會上，透露了3nm將繼續采取FinFET晶體管技術。而臺積電3nm也預計將于今年下半年出貨。不過，這個立體結構的微縮也并非無極限，3nm似乎真的已經是極限了，從當前的消息來看，臺積電到了2nm也將轉采其他的技術，也就是下面要說到的GAA。

　　2、GAA FET晶體管

　　GAA全稱Gate-All-Around，是一種環繞式柵極晶體管技術，被認為是FinFET技術的升級版。與FinFET的不同之處在于，GAA通過使用納米片設備制造出了MBC FET(多橋通道場效應管)，其設計通道的四個面周圍有柵極，減少漏電壓并改善了對通道的控制，這是縮小工藝節點時的基本步驟。

　　3、沖向200層的3D Flash

　　從時間上看，第1個3D晶體管和第1代3D NAND閃存芯片推出的時間相差無幾。2011年，英特爾推出世界上第1個3D三維晶體管，2012年三星推出第1代3D NAND閃存芯片，也是第1款32層SLC V-NAND SSD——850 PRO。

　　閃存走向3D也是發展的必然趨勢，畢竟這些年，我們的網絡社交方式從文字到圖片再到視頻，數據量呈指數級增長，平面NAND已達到其產能發展的極限，再發展下去只會影響其性能、耐用性和可靠性。為了能在有限的空間里存儲更多的數據，也為了追求更高的存儲密度，閃存工業也開始向3D邁進。

　　4、火爆的3D封裝

　　3D封裝在前段時間也是狠狠火了一把，引爆點在于蘋果在3月9日凌晨推出的M1 Ultral芯片，就是筆者在開頭提到的那個擁有1140億個晶體管的芯片，而該芯片采用的就是臺積電的3D Wafer-on-Wafer封裝技術。

　　隨著芯片越來越復雜，芯片面積、良率和復雜工藝的矛盾難以調和，3D封裝是發展的必然趨勢。與傳統的封裝相比，3D封裝技術有望提供更高的芯片連接性和更低的功耗。(新聞來源：賢集網電子放大鏡)

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